真空鍍膜：是在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發並凝結於金屬、半導體或絕緣體表面而形成薄膜的一種方法，鍍膜在真空條件下成膜的優點是可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中於分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應，以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成爲雜質的量，從而提供膜層的緻密度、純度、沉積速率和與基板的附着力。
