氮化鎵是金屬合金。氮化鎵，化學式GaN，英文名稱Galliumnitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（directbandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，爲3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumpedsolid-statelaser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。
