直拉法制備單晶硅的原理

直拉法制備單晶硅的原理

首先搞清楚四個基本概念、晶體、非晶體、單晶、多晶。直拉法制備單晶硅原理:將多晶硅通過熱場加熱,融化成熔融狀態,通過控制熱場將液麪温度控制在結晶的臨界點,通過液麪上方的單晶籽晶從液麪向上提拉,溶硅隨着籽晶的提拉上升按照籽晶的晶向生長出單晶硅圓。

硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質,是一種良好的半導材料。純度要求達到幾乎百分之百,甚至以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。